退火对氧敏CeO_(2-x)薄膜结构及电子组态的影响

材料研究学报, 1998, 12(6): 610-614.

退火对氧敏CeO_(2-x)薄膜结构及电子组态的影响

杜新华 , 刘振祥 , 谢侃 , 王燕斌 , 褚武扬

中国科学院物理研究所表面物理国家重点实验室

北京科技大学

基金项目: 福特-中国发展研究基金!09415106

关键词：二氧化铈 , thin film , structure , annealling

EFFECT OF ANNEALLING ON STRUCTURE AND ELECTRONIC COMPOSITION OF OXYGEN SENSITIVE CeO_(2-x) FILMS

DU Xinhua , LIU Zhedriang , XIE Kan , WANG Yanbin , CHU Wuyang(University of Science and Technology

Keywords： ceria , 薄膜 , 晶体结构 , 退火

用射频磁控溅射法制备了CeO2-x高温氧敏薄膜.用Ce3d的XPS谱计算了Ce3+浓度.研究了退火条件对氧敏CeO2-x薄膜的晶体结构及电子组态的影响XRD和AFM分析表明,薄膜经973K至1373K退火后,形成了CaF2型结构的CeO2-x,其晶粒大小明显依赖于退火条件和膜厚.退火温度在973K至1173K时,(200)晶面是择优取向的,在1373K退火4h后,可得到热力学稳定的CeO2-x,在退火前后薄膜表面存在少量Ce3+.

The CeO2-x films are deposited from a sintered CeO2-x ceramic target by reactive high frequency sputtering magnetron system. Influence of annealling process on the composition and Structure of CeO2-x films were determined by XRD, AFM and XPS. The results

参考文献

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