Cd在Cd0.9Zn0.1Te晶体中的有效扩散系数与扩散激活能

稀有金属材料与工程, 2006, 35(10): 1577-1580.

Cd在Cd0.9Zn0.1Te晶体中的有效扩散系数与扩散激活能

刘洪涛 ^1, , 桑文斌 ^2, , 李万万 ^3, , 张斌 ^4, , 闵嘉华 ^5, , 詹峰 ^6, , 曹泽淳 ^7,

1.上海大学电子信息材料系,上海,200072

2.上海大学电子信息材料系,上海,200072

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4.上海大学电子信息材料系,上海,200072

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基金项目: 国家自然科学基金(10175040) 上海市教委资助项目(02AK30) 上海市科委资助项目(03DZ11006)

关键词： Cd0.9Zn0.1Te(CZT) , 有效扩散系数DCd , 扩散激活能QCd , 数值拟合

The Effective Diffusion Coefficient and Diffusion Activation Energy of Cd in Cd0.9Zn0.1Te Crystal

为了计算Cd在Cd0.9Zn0.1Te(CZT)晶体中的有效扩散系数DCd与扩散激活能QCd,利用Cd在CZT晶体中的扩散特性,设计了在不同Cd压下对CZT的退火实验,推导出了晶体电阻率与Cd有效扩散系数之间的函数关系,经过计算,首次获得了在1073 K,973 K和873 K温度时Cd原子在CZT晶体中的有效扩散系数DCd,分别为1.464×10-10cm2/s,1.085×10-11cm2/s和4.167×10-13cm2/s.将扩散数据经过拟合后得到了Cd原子在CZT晶片中有效扩散系数的表达式:2.33×exp(-2.38 eV/kT)(873 K～1073 K),其中扩散激活能QCd为2.38 eV.

参考文献

[1]	Schlesinger T E et al.[J].Materials Science and Engineering,2001,32:103.
[2]	Li Wanwan et al.[J].Semiconductor Science and Technology,2002,17:55.
[3]	Berding M A .[J].Applied Physics Letters,1999,74(06):552.
[4]	Vydyanath H R .[J].Journal of Electronic Materials,1993,22:1067.
[5]	James R B.[A].San Diege:CA Press,2000:420.
[6]	Chang Y C.[J].Physical Review B,1999:381.
[7]	Fochuk P.;Panchuk O.;Korovyanko O. .High-temperature point defect equilibrium in CdTe modelling[J].Journal of Crystal Growth,1999(3):603-606.
[8]	Vydyanath H R et al.[J].Journal of Vacuum Science and Technology B:Microelectronics and Nanometer Structures,1992,10(04):1476.
[9]	Jones E D et al.[J].Journal of Crystal Growth,1987,84(02):289.
[10]	Borsenberger P M et al.[J].Journal of Physics and Chemistry of Solids,1968,29:1277.

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