钼屏发射率对泡生法蓝宝石单晶生长影响的数值模拟研究

材料导报, 2013, 27(16): 143-150.

钼屏发射率对泡生法蓝宝石单晶生长影响的数值模拟研究

韩江山 ^1, , 左然 ^2, , 苏文佳 ^3, , 季尚司 ^4,

1.江苏大学能源与动力工程学院,镇江212013

2.江苏大学能源与动力工程学院,镇江212013

3.江苏大学能源与动力工程学院,镇江212013

4.江苏大学能源与动力工程学院,镇江212013

基金项目: 江苏大学高级专业人才科研启动基金(1281130015) 高等学校博士学科专项科研基金(20123227120017) 国家自然科学基金青年基金(51206069) 江苏省自然科学基金青年基金(BK2012295)

关键词：泡生法 , 蓝宝石 , 数值模拟 , 发射率

Numerical Simulation Research on Influence of Emissivity of Molybdenum Shield on Sapphire Growth by Kyropoulos Method

HAN Jiangshan ^1, , ZUO Ran ^2, , SU Wenjia ^3, , JI Shangsi ^4,

1.江苏大学能源与动力工程学院,镇江212013

2.江苏大学能源与动力工程学院,镇江212013

3.江苏大学能源与动力工程学院,镇江212013

4.江苏大学能源与动力工程学院,镇江212013

Keywords： kyropoulos method , sapphire , numerical simulation , emissivity

泡生法蓝宝石单晶生长过程中,由于生长周期长、温度高,热场中钼屏的物理性质和形状都会发生变化,从而引起炉内温场的变化.通过计算机数值模拟,研究了钼屏发射率发生变化时,泡生法蓝宝石单晶生长中温场、流场的变化.模拟结果表明:随钼屏发射率增加,消耗功率也不断增加；在放肩阶段熔体等温线向下移动,流场也从2个涡流逐渐变成1个涡流；而在等径阶段和收尾阶段,这些变化都不明显.

参考文献

[1]	Mark S. Akselrod;Frank J. Bruni.Modern trends in crystal growth and new applications of sapphire[J].Journal of Crystal Growth,2012:134-145.
[2]	杨世铭;陶文铨.传热学[M].北京:高等教育出版社,2006:369.
[3]	Bunoiu, OM;Duffar, T;Nicoara, I .Gas bubbles in shaped sapphire[J].Progress in Crystal Growth and Characterization of Materials,2010(3/4):123-145.
[4]	S.E. Demina;E.N. Bystrova;M.A. Lukanina;V.M. Mamedov;V.S. Yuferev;E.V. Eskov;M.V. Nikolenko;V.S. Postolov;V.V. Kalaev .Numerical analysis of sapphire crystal growth by the Kyropoulos technique[J].Optical materials,2007(1):62-65.
[5]	O. Budenkova;M. Vasiliev;V. Yuferev;V. Kalaev .Effect of internal radiation on the solid–liquid interface shape in low and high thermal gradient Czochralski oxide growth[J].Journal of Crystal Growth,2007(1):156-160.
[6]	S.E. Demina;V.V. Kalaev .3D unsteady computer modeling of industrial scale Ky and Cz sapphire crystal growth[J].Journal of Crystal Growth,2011(1):23-27.
[7]	STR Group .CGSim material data base,v.9.3[OL].http://www.semitech.us,2011-12-17.

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