研究了氩气气氛下稀土氧化物对SiC形成的影响.研究得出,石墨的理想加入量为过量20%时,稀土氧化物能够在一定程度上促进碳化硅的形成.不同种类的稀土氧化物,其催化效果不同,稀土氧化物能够改变碳化硅晶须的形貌,主要表现在改变碳化硅晶须的长径比.
参考文献
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