氨化Si基Ga2O3/Ti制备GaN纳米线

功能材料, 2007, 38(2): 259-264.

氨化Si基Ga2O3/Ti制备GaN纳米线

孙莉莉 ^1, , 薛成山 ^2, , 艾玉杰 ^3, , 孙传伟 ^4, , 庄惠照 ^5, , 张晓凯 ^6, , 王福学 ^7, , 陈金华 ^8, , 李红 ^9,

1.山东师范大学,半导体研究所,山东,济南,250014

2.山东师范大学,半导体研究所,山东,济南,250014

3.山东师范大学,半导体研究所,山东,济南,250014

4.济南大学,信息科学与工程学院,山东,济南,250022

5.山东师范大学,半导体研究所,山东,济南,250014

6.山东师范大学,半导体研究所,山东,济南,250014

7.山东师范大学,半导体研究所,山东,济南,250014

8.山东师范大学,半导体研究所,山东,济南,250014

9.山东师范大学,半导体研究所,山东,济南,250014

基金项目: 国家自然科学基金(90201025) 国家自然科学基金(90301002)

关键词：磁控溅射 , 氨化 , GaN薄膜 , Ti

Synthesis of GaN nanowires by ammoniating sputtered Ga2O3/Ti films on Si substrates

采用磁控溅射技术先在硅衬底上制备Ga2O3/Ti薄膜,然后在950℃时于流动的氨气中进行氨化反应制备GaN薄膜.X射线衍射(XRD)、傅立叶红外吸收光谱(FTIR)、选区电子衍射(SAED)和高分辨透射电子显微镜(HRTEM)的结果表明采用此方法得到了六方纤锌矿结构的GaN单晶纳米线.通过扫描电镜(SEM)观察发现纳米线的形貌,纳米棒的尺寸在50～150nm之间.

参考文献

[1]	Fasol G .[J].Science,1996,272:1751-1752.
[2]	Nakamura S;Mukai T;Senoh M .[J].Applied Physics Letters,1994,64(13):1687-1689.
[3]	Yang L;Wang C;Xue C et al.[J].Applied Sueface Science,2003,9892:1-5.
[4]	Li JY.;Qiao ZY.;Cao YG.;He M.;Xu T.;Chen XL. .Synthesis of aligned gallium nitride nanowire quasi-arrays[J].Applied physics, A. Materials science & processing,2000(3):349-350.
[5]	Wang J C;Zhan C Z;Li F G .[J].Applied Physics A:Materials Science & Processing,2002,A76:609-611.
[6]	Boo JH.;Ho W.;Rohr C. .MOCVD of BN and GaN thin films on silicon: new attempt of GaN growth with BN buffer layer[J].Journal of Crystal Growth,1998(0):439-444.
[7]	Sun Y.;Sonoda N.;Miyasato T. .Outdiffusion of the excess carbon in SiC films into Si substrate during film growth[J].Journal of Applied Physics,1998(11):6451-6453.
[8]	Ding Ruiqin;Wang Hao .[J].Materials Chemistry and Physics,2003,77:841.

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网

氨化Si基Ga2O3/Ti制备GaN纳米线

Synthesis of GaN nanowires by ammoniating sputtered Ga2O3/Ti films on Si substrates

参考文献