Ar工作压强对磁控溅射Ni-Mn-Ga铁磁形状记忆薄膜成分的影响

功能材料, 2006, 37(3): 367-369.

Ar工作压强对磁控溅射Ni-Mn-Ga铁磁形状记忆薄膜成分的影响

刘超 ^1, , 安旭 ^2, , 高来勖 ^3, , 高智勇 ^4, , 蔡伟 ^5, , 赵连城 ^6,

1.哈尔滨工业大学,材料科学与工程学院,黑龙江,哈尔滨,150001

2.黑龙江大学,电子工程学院,黑龙江,哈尔滨,150080

3.黑龙江大学,电子工程学院,黑龙江,哈尔滨,150080

4.哈尔滨工业大学,材料科学与工程学院,黑龙江,哈尔滨,150001

5.哈尔滨工业大学,材料科学与工程学院,黑龙江,哈尔滨,150001

6.哈尔滨工业大学,材料科学与工程学院,黑龙江,哈尔滨,150001

基金项目: 中国科学院资助项目(50371022)

关键词： Ni-Mn-Ga , 形状记忆 , 铁磁性 , 薄膜

Effect of Ar working pressure on the compositions of Ni-Mn-Ga ferromagnetic shape memory thin film prepared by magnetron sputtering deposition

采用直流磁控溅射技术在单晶硅衬底上沉积Ni-Mn-Ga铁磁性形状记忆薄膜.试验结果表明,Ar工作压强对Ni-Mn-Ga薄膜化学成分有显著影响.Ni含量随Ar工作压强的升高呈先增加后减少的趋势,Mn含量呈先减少后增加的趋势,Ga含量几乎呈线性减少的趋势.随Ar工作压强的升高,薄膜的e/a值逐渐增大,薄膜的相变温度逐渐升高,室温下可以获得具有四方结构马氏体相的Ni-Mn-Ga薄膜.

参考文献

[1]	Ullakko K;Huang J K et al.[J].Applied Physics Letters,1996,69(13):1966-1968.
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[3]	Sozinov A et al.[J].Applied Physics Letters,2002,80:1746-1748.
[4]	X. Jin;M. Marioni;D. Bono;S. M. Allen;R. C. O'Handley;T. Y. Hsu .Empirical mapping of Ni-Mn-Ga properties with composition and valence electron concentration[J].Journal of Applied Physics,2002(10):8222-8224.
[5]	Lanska N.[J].Journal of Applied Physics,2004(95):8074-8078.
[6]	Chernenko V A .[J].Scripta Materialia,1999,40(05):523-527.
[7]	Likhachev AA.;Ullakko K. .Magnetic-field-controlled twin boundaries motion and giant magneto-mechanical effects in Ni-Mn-Ga shape memory alloy[J].Physics Letters, A,2000(1/2):142-151.
[8]	Jiang Chengbao et al.[J].Acta Materialia,2004,52:2779-2785.

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Effect of Ar working pressure on the compositions of Ni-Mn-Ga ferromagnetic shape memory thin film prepared by magnetron sputtering deposition

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