HfO2辅助法制备Si3N4纳米带及其光致发光性质

硅酸盐通报 , 2015, 34(7): 1815-1824.

HfO2辅助法制备Si3N4纳米带及其光致发光性质

周小惠 ^1, , 骆丽杰 ^2, , 李建保 ^3, , 陈拥军 ^4,

1.广西大学化学化工学院,南宁,530004

2.海南大学材料与化工学院,海口570228;海南大学热带岛屿资源先进材料教育部重点实验室,海口570228

3.海南大学材料与化工学院,海口570228;海南大学热带岛屿资源先进材料教育部重点实验室,海口570228

4.广西大学化学化工学院,南宁530004;海南大学材料与化工学院,海口570228;海南大学热带岛屿资源先进材料教育部重点实验室,海口570228

基金项目: 国家自然科学基金重点项目(51162001,51362008)

关键词：氮化硅 , 纳米带 , 化学气相沉积 , 光致发光

Hafnia Assisted Synthesis of Si3N4 Nanobelts and Its Photoluminescence Property

Keywords： silicon nitride , nanobelt , chemical vapor deposition , photoluminescence

本文以氮化硅(Si3N4)和氧化铪(HfO2)为原料,在N2气氛条件下于1700℃直接热处理合成了大量的Si3N4纳米带.采用X射线衍射(XRD)、扫描电镜(SEM)、透射电镜(TEM)等方法对样品的物相、微观结构进行了表征.结果表明:合成的Si3N4纳米带厚约50 nm,长达数百微米,纯度高且结晶好.纳米带沿α-Si3N4的[201]方向生长,属于气-固(VS)生长机制.Si3N4纳米带在360～ 496 nm范围内具有较强的发射峰,表明所合成的Si3N4纳米带具有优异的光致发光性质,在光电纳米器件中具有潜在的应用前景.

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