快速热化学沉积工艺条件对制备多晶硅薄膜的影响

稀有金属材料与工程, 2005, 34(z2): 1149-1151.

快速热化学沉积工艺条件对制备多晶硅薄膜的影响

万之坚 ^1, , 李海峰 ^2, , 黄勇 ^3, , 张厚兴 ^4, , 张立明 ^5, , 许颖 ^6, , 王文静 ^7,

1.清华大学材料科学与工程系,北京,100084

2.清华大学深圳研究生院,深圳,518057

3.清华大学材料科学与工程系,北京,100084;清华大学深圳研究生院,深圳,518057

4.清华大学材料科学与工程系,北京,100084;清华大学深圳研究生院,深圳,518057

5.清华大学材料科学与工程系,北京,100084

6.北京市太阳能研究所,北京,100083

7.北京市太阳能研究所,北京,100083

基金项目: 北京市自然科学基金(2021001)

关键词：太阳电池 , 多晶硅薄膜 , 快速热化学气相沉积

Effect of Technical Condition in RTCVD on Deposed Poly-Si Thin-Film

选用Al2O3陶瓷作为衬底,采用快速热化学法沉积多晶硅薄膜.实验研究了温度对薄膜生长的影响,结果表明,硅层的沉积速率随着温度升高而加快,并逐渐趋向1个稳定值.晶粒尺寸也随着温度升高而增大,在温度达到1000℃后保持不变.在此硅薄膜上,采用磷扩散掺杂,制备出太阳能电池器件,并且分析了掺杂量对电池效果的影响.

参考文献

[1]	Martin A G;李秀文.太阳电池[M].北京:电子工业出版社,1987
[2]	Nell M E et al.[J].Materials Science and Engineering,2000,69-70:542.
[3]	Daniel J A;David D S;Allen M B.Proceeding of 25th PVSC[C].Washington: NREl,1996:85.

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