常规加热技术生产的碳化硅晶片能耗大、成本高,所以在国内外市场上碳化硅晶片的供应量少、价格高,限制了碳化硅晶片在复合材料中的广泛应用.采用粉末电热体加热技术,以SiO2微粉和碳黑为原料,在较低合成温度1900℃下、较短的合成时间3 h内得到了直径为50～200μm、厚度为5～20 μm的碳化硅晶片,并探讨了合成碳化硅晶片的影响因素.研究表明,该加热技术的推广与应用,可以有效地实现碳化硅晶片的低成本、规模化生产.
参考文献
| [1] | 李建保;黄勇;杨璟.[J].高技术通讯,1992(09):8. |
| [2] | 戴长虹 .[P].CN 98220161.3,1999. |
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