为得到具有器件应用价值的非晶硅薄膜,首先采用等离子体增强化学气相沉积系统获得非晶硅薄膜,之后用离子注入设备对该薄膜进行镍离子注入掺杂.用椭偏仪测试薄膜厚度,得知非晶硅薄膜厚度为200nm,且沉积工艺稳定.X射线衍射仪测试表明,所沉积的薄膜属于完全非晶态.用四探针薄膜电阻测试设备测试非晶硅薄膜的方块电阻,结果表明,当掺杂浓度为2.5×1019个/cm3,离子注入能量为35.2 keV时,掺杂后的非晶硅薄膜具有较好电学性质,TCR约为-0.7％,室温下的方块电阻为992 kΩ/□.
参考文献
| [1] | 刘卫国;金娜.集成非制冷热成像探测阵列[M].北京:国防工业出版社,2004 |
| [2] | 陈志明.非晶半导体材料与器件[M].北京:科学出版社,1991 |
| [3] | 韩琳,刘兴明,刘理天.用于红外探测的非晶硅薄膜晶体管[J].半导体光电,2006(04):393-395,401. |
| [4] | Van Hieu N .Formation of source and drain of a-Si : H TFT by ion implantation through metal technique[J].Physica, B. Condensed Matter,2007(1/2):38-42. |
| [5] | 程兴奎 .掺稀土元素钇的n-型α-Si薄膜[J].山东大学学报(自然科学版),1988,23(03):34-39. |
| [6] | 马铁英,刘焕林,陈刚,杨宇.电子束蒸发a-Si：Co薄膜的离子注入改性研究[J].功能材料,2004(05):576-578,581. |
| [7] | 何宇亮;陈光华;张仿清.非晶态半导体物理[M].北京:高等教育出版社,1989 |
| [8] | 薛增泉;吴全德;李洁.薄膜物理[M].北京:电子工业出版社,1991 |
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