Si(100)表面S钝化效果与稳定性研究

人工晶体学报, 2014, 43(7): 1657-1661.

Si(100)表面S钝化效果与稳定性研究

李峰 ^1, , 杨莺 ^2, , 李碧珊 ^3, , 陈进 ^4, , 邢青青 ^5, , 侯志斌 ^6,

1.西安理工大学自动化与信息工程学院,西安710048

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关键词： S钝化 , 肖特基势垒 , 少子寿命 , 稳定性 , 抗氧化性

Research on the Effect and Stability of Sulfur-passivated Si(100) Surface

Keywords： sulfur passivation , Schottky barrier , minority carrier lifetime , stability , oxidation resistance

基于Valence-Mending概念对Si(100)表面进行S钝化研究.对于Ni/n-Si肖特基接触,S钝化使其肖特基势垒高度向其理想势垒高度靠近了0.09 eV;对于Al/p-Si肖特基接触,S钝化使其肖特基势垒高度向其理想势垒高度靠近了0.08 eV.少子寿命测试结果表明S钝化使Si(100)表面少子寿命提高大约1个数量级;热稳定性实验结果表明560℃时S钝化效果退化;XPS测试结果表明S离子化学吸附在Si表面并形成Si-S键,样品在空气中放置一段时间后表面Si-S键被氧化,表明S钝化抗氧化性不强.

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Si(100)表面S钝化效果与稳定性研究

Research on the Effect and Stability of Sulfur-passivated Si(100) Surface

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