采用多孔氧化铝(AAO)模板脉冲电沉积法制备了强辐射源用铜纳米线阵列材料,并用扫描电子显微镜(SEM)、能谱(EDS)和X射线衍射(XRD)对其进行了结构袁征.结果表明电沉积的峰值电流强度和辅助阴极可以影响铜纳米线的表面质量、长度分布均匀性和微区长度起伏.减小峰值电流强度,可以明显改善单根铜纳米线的表面质量,但是对铜纳米线阵列长度分布均匀性和微区长度起伏影响程度有限.添加辅助阴极,不仅可以改善单根铜纳米线的表面质量,还可以显著提高铜纳米线阵列长度分布均匀性,并改善其微区长度起伏情况.
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