中频磁控溅射钛酸锶钡薄膜的结构及性能

稀有金属材料与工程, 2007, 36(z1): 970-972.

中频磁控溅射钛酸锶钡薄膜的结构及性能

廖家轩 ^1, , 李恩求 ^2, , 田忠 ^3, , 许江 ^4, , 杨海光 ^5,

1.电子科技大学电子科学技术研究院,四川,成都,610054

2.电子科技大学电子科学技术研究院,四川,成都,610054

3.电子科技大学电子科学技术研究院,四川,成都,610054

4.电子科技大学电子科学技术研究院,四川,成都,610054

5.电子科技大学电子科学技术研究院,四川,成都,610054

基金项目: 国防科技预研项目(9140A10030606) 高等学校博士学科点专项科研项目(20060614021) 电子科技大学校科研和教改项目(L08010301JX05016)

关键词：中频磁控溅射 , 钛酸锶钡薄膜 , 钙钛矿结构

The Structure and Properties of Barium Strontium Titanate Films Prepared by Medium Frequency Magnetron Sputtering

用中频磁控溅射制备了钛酸锶钡Ba0.6Sr0.4TiO3(简称MF-BST)薄膜,并对该薄膜进行原位晶化.XPS表明,MF-BST薄膜的表面成分Ba0.58Sr0.42Ti1.01O2.95和膜体成分Ba0.6Sr0.4TiO3接近,主要由钙钛矿结构的BST组成.AFM表明,MF-BST薄膜的表面光滑致密.XRD表明,MF-BST薄膜晶化完全,呈(111)择优.XTEM观察及XPS刻蚀表明MF-BST/Pt界面过渡层约2nm厚,含少量的TixPtyOz.MF-BST薄膜电容器具有高达1200的介电常数及低达10-9A/cm2的漏电流密度.同时,该薄膜的结构及介电性能与射频磁控溅射及非原位晶化的Ba0.6Sr0.4TiO3(简称RF-BST)薄膜进行了比较.

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