衬底与缓冲层的晶格失配对CeO2缓冲层外延生长的影响

稀有金属材料与工程, 2015, 44(9): 2250-2254.

衬底与缓冲层的晶格失配对CeO2缓冲层外延生长的影响

王辉 ^1, , 曹丽云 ^2, , 王耀 ^3, , 金利华 ^4, , 吕建凤 ^5, , 李成山 ^6, , 黄剑锋 ^7,

1.陕西科技大学教育部轻化工助剂化学与技术重点实验室,陕西西安710021;西北有色金属研究院,陕西西安710016

2.陕西科技大学教育部轻化工助剂化学与技术重点实验室,陕西西安,710021

3.西北有色金属研究院,陕西西安,710016

4.西北有色金属研究院,陕西西安,710016

5.重庆师范大学,重庆,401331

6.西北有色金属研究院,陕西西安,710016

7.陕西科技大学教育部轻化工助剂化学与技术重点实验室,陕西西安,710021

基金项目: 陕西省国际合作项目(2013KW12-03) 西安市未央区科技计划项目(201412) 国家自然科学基金(51302225,51202201) 国家国际科技合作专项资助(2012DFA50780) 陕西省自然科学基金(2014JQ6202)

关键词：涂层导体 , 缓冲层 , 晶格失配

Effect of Lattice Mismatch between Substrate and CeO2 on the Epitaxial Growth of CeO2 Buffer Layer

Keywords： coated conductor , buffer layer , lattice mismatch

采用金属有机沉积(MOD)技术在LaAlO3(LAO)、Y稳定的氧化锆(YSZ)和Ni-W衬底上沉积了CeO2缓冲层薄膜,并研究了衬底与缓冲层的晶格失配对其外延生长的影响.结果表明,随着衬底和缓冲层薄膜之间晶格失配的增大,缓冲层薄膜内部的压应变增加,晶界浓度增加,晶粒生长速率减小.衬底和缓冲层薄膜之间的晶格失配越小,越有利于薄膜织构度的增大.CeO2薄膜的表面形貌及粗糙度的演化对衬底和缓冲层薄膜之间的晶格失配并没有明确的依赖关系.

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