用固相合成、共沉淀等方法合成了Cr4+,Nd3+:GGG晶体的单相多晶材料.讨论了共沉淀法和固相合成法合成GGG单相的技术参数.用合成的单相多晶原料生长了高质量的Cr4+,Nd3+:GGG单晶.通过测晶体的光谱性质发现:Cr4+,Nd3+:GGG晶体在400nm和520nm附近存在Cr3+离子的强的吸收峰.在808nm附近存在Nd3+离子宽的吸收带,能与InGa二极管激光有效的耦合;在1100附近有Cr4+的较强的吸收带,可实现对Nd3+的自调Q输出.Cr4+,Nd3+:GGG晶体的荧光光谱与Nd:GGG晶体的一样,发光中心也位于1062nm,但其强度约为Nd:GGG的1/5～1/6.Cr4+,Nd3+:GGG晶体是一种非常有潜力的自调Q激光晶体,可以实现大功率激光器的小型化和全固化.
参考文献
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