将组合材料芯片技术用于Gd1-xAly:Eux荧光材料的研究.通过离子束溅射沉积和两步热处理技术制各Gd1-xAly:Eux梯度组合材料芯片.通过X射线衍射和扫描电镜二次电子像分析发现:根据钆铝配比的不同在组合材料芯片上形成了相应的钆铝酸盐晶相;Gd4Al2O9(GAM)和GdAlO3(GAP)作为Gd2O3-A12O3中的稳定晶体相,其单相多晶薄膜较容易形成.紫外激发发光照相记录表明Gd1-xAly:Eux可以发射明亮的红色荧光(Eu3+的5Do-7F2发射,主峰值615nm),且对于Eu3+掺杂,GAP是最好的钆铝酸盐基体相.材料芯片的照相筛选结果和发射光谱、吸收光谱的分析结果一致.
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