采用CVD(Chemical Vapor Deposition)法沉积的钨涂层有[100]/[111]/[110]择优取向.择优取向主要受气体组分、流动速度、温度等因素的影响.研究了钼基体上CVD钨涂层的表面形貌和织构、涂层界面的元素分布、涂层的抗热震性能及高温扩散性能.结果显示:钨涂层与基体钼有2μm左右的互扩散层且钼在钨中的扩散速度更高;涂层在通H2条件下,进行室温→1400℃→室温20次循环后涂层不脱落、界面没有明显变化,涂层结合力好;涂层界面上的杂质元素氧等影响涂层的结合性能.
参考文献
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