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采用动态蒙特卡罗(kinetic Monte Carlo,简称KMC)方法研究物理气相沉积(physical vapor deposition,简称PVD)制备Ni薄膜过程中入射角度对薄膜微观结构的影响.该KMC模型中既包括入射原子与表面之间的碰撞,又包括被吸附原子的扩散.模拟中用动量机制确定被吸附原子在表面上的初始构型,用分子稳态(molecular statics,简称MS)计算方法计算扩散模型中跃迁原子的激活能.对于模拟结果,采用表面粗糙度和堆积密度作为沉积构型评价指标.研究结果表明:当沉积速率是5 μm/min,基板温度是300 K和500 K时,表面粗糙度和堆积密度曲线在入射角度等于35°时出现拐点;入射角度小于35°时,入射角度增大对表面粗糙度增加和堆积密度减小的影响很少;但是入射角度大于35°时,随入射角度增大表面粗糙度迅速增加、堆积密度迅速减小.另外,当基板温度是300 K时,入射角度对薄膜微观结构的影响程度大于基板温度为500 K时的影响程度.说明高基板温度促使原子更加充分地扩散,从而能削弱自阴影效应的作用.但是,在保证足够高基板温度和合理沉积速率的情况下,入射角度过大同样不利于致密结构形成.

参考文献

[1] Zemam P;Takabayashi S .[J].Thin Solid Films,2003,433(1-2):57.
[2] Culha M;Lavrik N V;Schell F M et al.[J].Sensors and Actuators B-Chemical,2003,92(1-2):171.
[3] Zhou XW.;Wadley HNG. .Atomistic simulations of the vapor deposition of Ni/Cu/Ni multilayers: The effects of adatom incident energy[J].Journal of Applied Physics,1998(4):2301-2315.
[4] Mazaleyrat G;Esteve A;Jeloaica L;Djafari-Rouhani M .A methodology for the kinetic Monte Carlo simulation of alumina atomic layer deposition onto silicon[J].Computational Materials Science,2005(1/3):74-82.
[5] Wang Zhiyong;Li Youhong;Adams J B .[J].Surface Science,2000,450:51.
[6] Yang Y G;Johnson R A;Wadley H N G .[J].Acta Materialia,1997,45(04):1455.
[7] Smy T;Walkey D;Harris K D et al.[J].Thin Solid Films,2001,391(01):88.
[8] 赫晓东,单英春,李明伟,史丽萍.Kinetic Monte Carlo模拟PVD薄膜生长的算法研究[J].功能材料,2005(10):1542-1544.
[9] Yang Y G;Zhou X W;Johnson R A et al.[J].Acta Materialia,2001,49:3321.
[10] Zhou X W;Johnson R A;Wadley H N G .[J].Acta Materialia,1997,45(04):1513.
[11] Baskes M I;Daw M S.[A].Lake Buena Vista:ASM International,1986:137.
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