升华法制备m面非极性-AlN单晶体的研究

人工晶体学报, 2012, 41(6): 1534-1537.

升华法制备m面非极性-AlN单晶体的研究

武红磊 ^1, , 郑瑞生 ^2, , 李萌萌 ^3, , 闫征 ^4,

1.深圳大学光电工程学院,光电子器件与系统(教育部/广东省)重点实验室,深圳518060

2.深圳大学光电工程学院,光电子器件与系统(教育部/广东省)重点实验室,深圳518060

3.深圳大学光电工程学院,光电子器件与系统(教育部/广东省)重点实验室,深圳518060

4.深圳大学光电工程学院,光电子器件与系统(教育部/广东省)重点实验室,深圳518060

基金项目: 国家自然科学基金重点项目(61136001) 973前期研究专项(2010CB635115)

关键词：升华 , 非极化 , AlN晶体 , m面

Growth of Nonpolar m-plane AlN Single Crystals by Sublimation

AlN晶体在c轴方向具有很强的自发和压电极化效应,影响了其器件的性能.生长高质量的非极性面AlN晶体材料是解决该问题的有效途径.本研究结合AlN晶体沿c轴择优生长的特点,使用自行设计的双区电阻加热生长装置,升华制备出尺寸为厘米级m面非极性AlN单晶体,并利用X射线衍射和能谱对样品进行测试分析.实验结果表明AlN单晶体的方向为(100),铝和氮原子比例为50.3％和49.7％,接近理想比例1∶1.最后,对m面非极性AlN单晶体的形成机理进行探讨.

参考文献

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Growth of Nonpolar m-plane AlN Single Crystals by Sublimation

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