Zn+注入对p-GaN/Ni/Au欧姆接触特性的影响

功能材料, 2009, 40(6): 946-952.

Zn+注入对p-GaN/Ni/Au欧姆接触特性的影响

李鸿渐 ^1, , 石瑛 ^2, , 赵世荣 ^3, , 何庆尧 ^4, , 蒋昌忠 ^5,

1.武汉大学,物理科学与技术学院,湖北,武汉,430072

2.武汉大学,物理科学与技术学院,湖北,武汉,430072

3.武汉大学,物理科学与技术学院,湖北,武汉,430072

4.武汉大学,物理科学与技术学院,湖北,武汉,430072

5.武汉大学,物理科学与技术学院,湖北,武汉,430072

基金项目: 国家自然科学基金(10675094;10205010;10435060)

关键词： p-GaN , 欧姆接触 , 离子注入 , 退火

Influence of p-GaN/Ni/Au ohmic contact characteristics by Zn+ implantation

首次采用离子注入工艺研究金属电极和p-GaN的欧姆接触特性.Zn为Ⅱ族元素,可以提高p-GaN表面的栽流子浓度,对p-GaN/Ni/Au(5/10nm)界面处进行Zn+注入.经Zn+注入后的样品在空气氛围中快速热退火处理5min,以减少离子注入带来的晶格损伤.研究发现Zn+注入改善了p-GaN/Ni/Au的欧姆接触特性,接触电阻率ρc从10-1Ω·cm2数量级降低到10-3Ω·cm2数量级.研究了不同Zn+注入剂量(5×1015、1×1016、5×1016cm-2)对接触电阻率的影响,在注入剂量为1×1016cm-2、300℃下退火得到最优的接触电阻率为1.45×10-3Ω·cm2.用扫描电子显微镜观察了离子注入前后的表面形貌变化,探讨了接触电阻率改变的内在机制.

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