Si(111)衬底上HVPE GaN厚膜生长

功能材料, 2011, 42(3): 509-515.

Si(111)衬底上HVPE GaN厚膜生长

颜怀跃 ^1, , 修向前 ^2, , 华雪梅 ^3, , 刘战辉 ^4, , 周安 ^5, , 张荣 ^6, , 谢自力 ^7, , 韩平 ^8, , 施毅 ^9, , 郑有炓 ^10,

1.南京大学物理系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,江苏,南京,210093

2.南京大学物理系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,江苏,南京,210093

3.南京大学物理系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,江苏,南京,210093

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8.南京大学物理系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,江苏,南京,210093

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10.南京大学物理系,江苏省光电信息功能材料重点实验室,江苏,南京,210093

基金项目: 南京大学扬州光电研究院基金资助项目(2008008) 国家自然科学基金资助项目(60721063;60820106003;60731160628) 国家高技术研究发展计划(863计划)资助项目(2009AA03A198) 国家重点基础研究发展计划(973计划)资助项目(2006CB6049)

关键词：氢化物气相外延 , HVPE , Si , GaN

GaN thick films growth on Si(111)by hydride vapour phase epitaxy

在Si(111)衬底上,以MOCVD方法高温外延生长的AIN为缓冲层,使用氮化物气相外延(HVPE)方法外延生长了15Km的c面GaN厚膜.并利用X射线衍射(XRD)、光致发光谱(PL)、拉曼光谱(Raman)等技术研究了GaN厚膜的结构和光学性质.分析结果表明,GaN厚膜具有六方纤锌矿结构,外延层中存在的张应力较小,为0.17GPa,在363.7nm处具有很强的GaN带边发光峰,没有黄带出现.AIN缓冲层有效地阻止了Si衬底和反应气体发生非生长的附加反应,并减小了GaN厚膜自身残余应力,有利于Si(111)衬底上HVPE GaN厚膜的生长.

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