垂直磁记录材料需要高的磁晶各向异性能.尝试了通过改变缓冲层成分来产生晶格畸变以提高磁晶各向异性的方法.300℃下,利用直流磁控溅射设备在RuV缓冲层上沉积了Co0.85W0.15磁性薄膜,其中Ru缓冲层中添加15％V.利用X射线衍射(XRD)分析了薄膜的精细晶体结构,确定了薄膜的结构、取向关系、晶格常数、c轴分散性、fcc/hcp体积分数比和堆垛层错密度.根据实验结果,研究了Co0.85 W0.15/Ru0.85V0.85/MgO(1 11)薄膜的晶体结构和磁晶各向异性能间的关系.实验结果表明,由于缓冲层中V的添加,晶格常数比降低,显著提高了Co0.85W0.15薄膜的磁晶各向异性.因此,可以通过缓冲层的成分设计实现不同磁性材料的磁晶各向异性.
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