Ge2Sb2Te5材料与非挥发相转变存储器单元器件特性

功能材料, 2005, 36(8): 1196-1199.

Ge2Sb2Te5材料与非挥发相转变存储器单元器件特性

凌云 ^1, , 林殷茵 ^2, , 赖连章 ^3, , 乔保卫 ^4, , 赖云锋 ^5, , 冯洁 ^6, , 汤庭鳌 ^7, , 蔡炳初 ^8, , ^9,

1.复旦大学,微电子学系ASIC与系统国家重点实验室,上海,200433

2.复旦大学,微电子学系ASIC与系统国家重点实验室,上海,200433

3.复旦大学,微电子学系ASIC与系统国家重点实验室,上海,200433

4.上海交通大学,微纳米研究院,上海,200030

5.上海交通大学,微纳米研究院,上海,200030

6.上海交通大学,微纳米研究院,上海,200030

7.复旦大学,微电子学系ASIC与系统国家重点实验室,上海,200433

8.上海交通大学,微纳米研究院,上海,200030

9.SST Inc. 1171 Sonora Court,Sunnyvale,CA,USA 94086

基金项目: 国家自然科学基金(60376017) 上海市纳米科技专项基金(0352nm011)

关键词：非晶半导体 , 阈值电压 , 相变存储器

The performance of Ge2Sb2Te5 material and nonvolatile phase-change-memory device

对Ge2Sb2Te5材料的结构、形貌和电学特性进行了表征,将材料应用于不挥发存储单元器件中并研究了器件性能.研究了退火温度对薄膜电阻率的影响,发现在从高阻向低阻状态转变的过程中,电阻率下降的趋势发生变化,形成拐点,分析表明这是由于在拐点处结构由面心立方向密排六方结构转变所致;对不同厚度Ge2Sb2Te5薄膜的电阻率进行了分析,结果表明当厚度薄于70nm时,电阻率随厚度显著上升而迁移率下降,材料晶态电学性能的测量显示,材料有正电阻温度系数并以空穴导电;测量了Ge2Sb2Te5非挥发相转变存储器单元的I-V曲线,发现有阈值特性,在晶态时电学特性呈欧姆特性,非晶态时I-V低场为线性关系,电场较高时呈指数关系.

参考文献

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[7]	孙以材.半导体测试技术[M].北京:冶金工业出版社,1984
[8]	赛尔勃赫 S;阮刚;汤庭鳌.半导体器件的分析与模拟[M].上海:上海科学技术文献出版社,1986
[9]	刘恩科;朱秉升;罗晋生.半导体物理学[M].北京:国防工业出版社,1997

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