直接键合硅片的三步亲水处理法及界面电特性

功能材料, 2000, 31(1): 58-59.

1.电子科技大学微电子所,四川成都,610054

2.电子科技大学微电子所,四川成都,610054

3.电子科技大学微电子所,四川成都,610054

Three Steps Method of Hydrophilicity Treatment on Silicon Wafer Direct Bonding and Bonding Interface Electrical Properties

亲水处理是硅片能否直接健合成功的关键.基于亲水处理的微观机理分析和不同清洗剂亲水处理的过程及效果,本文提出了独特的三步亲水处理法.这一方法既能顺利完成室温预键合,又能减少界面上非定形大尺寸SiO体的生成,避免了界面对电输运的势垒障碍,结果获得了理想的键合界面.

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