涂层导体外延MgO层的织构与表面形貌探究

低温物理学报 , 2015, 37(5): 335-340.

涂层导体外延MgO层的织构与表面形貌探究

宁纪林 ^1, , 赵苏串 ^2, , 范峰 ^3, , 鲁玉明 ^4, , 金晓燕 ^5, , 邱文彬 ^6, , 郭艳群 ^7, , 刘志勇 ^8, , 白传易 ^9,

1.上海大学超导与应用技术中心,上海,200444

2.上海大学超导与应用技术中心,上海,200444

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9.上海大学超导与应用技术中心,上海,200444

基金项目: 上海市科委(批准号:11dz1100300,13dz1102302),国家自然科学基金(批准号:11174193,51202141)资助的课题.Project supported by the Science and Technology Commission of Shanghai Municipality (Grant Nos.11dz1100300,13dz1102302),the National Natural Science Foundation of China (Grant No.11174193).

关键词：缓冲层 , 涂层导体 , MgO

INVESTIGATION OF SURFACE MORPHOLOGY AND TEXTURE IN HOMOEPITIAXIAL MgO FOR COATED CONDUCTOR

Keywords： buffer layer , coated conductor , MgO

采用直流反应磁控溅射技术在IBAD-MgO基底上外延生长MgQ良好的MgO薄膜(面内织构度FWHM＜7°,表面均方根粗糙度RMS＜2nm)能够在较宽的温度区间400℃到500℃间获得.对于温度影响的MgO薄膜生长,我们采用了基于密度泛函的第一性原理进行模拟,得到与实验结果相符合的结论:过高的温度在损害薄膜织构的同时,会造成表面粗糙度的增加.而与之相反的:薄膜厚度由40nm增加到600nm时,薄膜织构虽然优化但会损害薄膜表面.薄膜的岛状生长与Ehrlich-Schwoebel (ES)势垒,是造成表面恶化的主要原因.

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