以废弃的稻草为原料,在1300～1400℃的氩气保护条件下制备SiC晶须.研究反应温度、反应时间、催化剂对SiC晶须制备的影响和反应机理.结果表明,SiC晶须在1350℃时生长最好；SiC晶须温度控制在1350℃左右为宜,采用先高温成核再低温保温的加热方式,反应时间控制在2h；碳化硅晶须主要以β型为主,同时含有少量α型SiC晶须.晶须以竹节状居多,晶须直径为10～200nm之间,长径比＞10.用Fe粉和H3 BO3作催化剂所生成的晶须较多,但其长径比较小.反应机理主要是VLS机理,以废弃稻草为原料制备SiC晶须为稻草应用提供了一种新的途径.
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