俘获和去俘获对Au/HfO2界面导电机制的影响

稀有金属材料与工程, 2015, 44(12): 2992-2995.

俘获和去俘获对Au/HfO2界面导电机制的影响

张育潜 ^1, , 傅莉 ^2,

1.西北工业大学,陕西西安,710072

2.西北工业大学,陕西西安,710072

基金项目: Project of Key Areas of Innovation Team in Shaanxi Province (2014KCT-12)

关键词：肖特基发射 , 普尔-法兰克效应 , 稳定性

Trapping and Detrapping Effects on Current Conduction Mechanisms at Interface of Au/HfO2 High-k Films

Keywords： Schottky emission , Poole-Frenkel mechanism , reliability

主要研究了经不同温度退火后HfO2高k栅介质薄膜的电流电压特性,结果表明,在栅极入射下,漏电流与Au/HfO2界面处的陷阱密度密切相关,在高电场下,Au/HfO2/p-Si结构的主要导电机制为Schottky发射和Poole-Frenkel发射.研究了电压应力对栅介质薄膜稳定性的影响,由于局部导电通道的形成,经时电介质击穿(TDDB)现象被观察到.

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