氨化磁控溅射Ga2O3/BN薄膜制备GaN纳米棒

稀有金属材料与工程, 2006, 35(z2): 129-132.

氨化磁控溅射Ga2O3/BN薄膜制备GaN纳米棒

吴玉新 ^1, , 薛成山 ^2, , 庄惠照 ^3, , 田德恒 ^4, , 刘亦安 ^5, , 孙莉莉 ^6, , 王福学 ^7, , 艾玉杰 ^8,

1.山东师范大学物理与电子科学学院半导体研究所,山东,济南,250014

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基金项目: 国家自然科学基金(90201025) 国家自然科学基金(90301002)

关键词：磁控溅射 , 氨化 , 氮化镓纳米棒 , 光致发光

Preparation of GaN Nanorods through Ammoniating Ga2O3/BN Films Deposited by Magnetron Sputtering

利用射频磁控溅射技术在Si(111)衬底上制备Ga2O3/BN薄膜,在氨气中退火合成了大量的一维GaN纳米棒.用X射线衍射(XRD)、选区电子衍射(SAED)、傅立叶红外透射谱(FTIR)、扫描电子显微镜(SEM)、透射电子显微镜(TEM)和光致发光谱(PL)对样品的晶体结构、元素成分、形貌特征和光学特性进行了分析.结果表明:GaN纳米棒为六方纤锌矿结构的单晶相,其直径在150 nm～400 nm左右,长度可达几十微米.室温下光致发光谱的测试发现了较强的372nm处的强紫外发光峰和420nm处的蓝色发光峰.

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