CdZnTe晶体热处理诱生的层错研究

功能材料, 2006, 37(7): 1070-1072.

CdZnTe晶体热处理诱生的层错研究

曾冬梅 ^1, , 张黎 ^2, , 查钢强 ^3, , 介万奇 ^4,

1.西北工业大学,材料学院,陕西,西安,710072

2.西安石油大学,化工学院,陕西,西安,710065

3.西北工业大学,材料学院,陕西,西安,710072

4.西北工业大学,材料学院,陕西,西安,710072

基金项目: 国家自然科学基金(50336040)

关键词： CdZnTe , 层错 , 晶体缺陷

Study on heat treatment induced stacking faults in CdZnTe crystals

首次对碲锌镉晶体热处理诱生层错的微观结构及形成机理进行了研究.碲锌镉晶体的层错能较高,形成困难,但在热处理过程中富Te相从晶体中心热迁移至表面时在晶内产生了应力,使晶体的晶格处于受拉状态,从而过饱和Te原子插入,导致局部区域原子密排面的层序发生错排,形成稳定的堆垛层错.层错的腐蚀金相蚀坑由一条条倾斜富Te槽构成,这些倾斜富Te槽沿(111)密排面排列成为一条条相互交成60°、120°的直线,其交线方向为[110]晶向.

参考文献

[1]	Myers T H;Schetzina J F;Magee T J et al.[J].Journal of Vacuum Science and Technology,1983,A1(03):1598-1603.
[2]	Ohmori M;Imase Y;Ohno R .[J].Materials Science and Engineering,1993,B16:283-290.
[3]	Butler J F;Doty F P;Apotovsky B et al.[J].Materials Science and Engineering,1993,B16:291-295.
[4]	王季陶;刘明登.半导体材料[M].北京:高等教育出版社,1990:308-313.
[5]	李全葆 .[J].红外技术,1997,17(02):6-8.
[6]	Jones E D;Clark J C;Mullin J B et al.[J].Journal of Crystal Growth,1994,138:274.
[7]	Aslam N;Jones E D;Noakes T C Q .[J].Journal of Crystal Growth,1992,117:249.
[8]	李宇杰 .Cd<,1-x>Zn<,x>Te晶体的缺陷研究及退火改性[D].西北工业大学,2001.
[9]	李国强;介万奇;华慧 .[J].红外与毫米波学报,1992,6(22):469-472.
[10]	Anthony T R;Cline H E .[J].Journal of Applied Physics,1971,42(09):3380.
[11]	Anthony T R;Cline H E .[J].Journal of Applied Physics,1972,43(05):2473.

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网

CdZnTe晶体热处理诱生的层错研究

Study on heat treatment induced stacking faults in CdZnTe crystals

参考文献