SBTV铁电材料的制备和微观组织结构

稀有金属材料与工程, 2005, 34(z1): 142-146.

SBTV铁电材料的制备和微观组织结构

孟庆昌 ^1, , 吕苏华 ^2, , 王文 ^3, , 贾德昌 ^4,

1.哈尔滨工业大学材料学院433信箱,黑龙江,哈尔滨,150001

2.长春工程学院机械系,吉林,长春,130000

3.哈尔滨工业大学材料学院433信箱,黑龙江,哈尔滨,150001

4.哈尔滨工业大学材料学院433信箱,黑龙江,哈尔滨,150001

基金项目: 中国科学院资助项目(50172012) 哈尔滨工业大学校科研和教改项目(HIT.2001.67)

关键词： V-掺杂 , SBTV铁电陶瓷 , 电畴

Fabrication and Microstructure of SBTV Ceramics

采用固相反应法合成了SrBi2Ta2O9(简称SBT)和V掺杂SrBi2Ta2O9(简称SBTV)陶瓷,通过TG-DTA、XRD、SEM、TEM等技术手段研究了材料的烧结工艺、相组成和微观组织结构.研究表明:V2O5是一种很好的助烧剂,掺杂后材料的烧结温度可降低200℃烧结后纯SBT均为单一的钙钛矿相SBT;掺杂后2种成型工艺所制备的SBTV除了生成少量Bi4(V2O11)外,仍主要由钙钛矿相组成;同时所有的材料都发生了一定程度的择优取向.掺杂后材料的晶粒形态发生变化:棒状转化为片状.同时V掺杂后引起了晶格畸变,产生应变,SBTV材料在透射中观察到具有α-边界特征的90°畴.

参考文献

[1]	Araujo C A P D et al.[J].NATURE,1995,374(13):627.
[2]	ToRii Y.[J].Journal of Materials Science Letters,1998(178):124.
[3]	Seong N.[J].Applied Physics Letters,1998(67):1374.
[4]	Dat R.[J].Applied Physics Letters,1998(67):572.
[5]	Torll Y.[J].Journal of Materials Science Letters,1998:827.
[6]	Swatez S H.[J].Journal of the American Ceramic Society,1983(12):881.
[7]	Watanabe H.[J].Journal of the American Ceramic Society,1991(01):139.
[8]	Martin P D.[J].Journal of Materials Research,1998(13):2565.

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