以无机盐为出发原料,采用溶胶-凝胶法制备了氧化铟锡(ITO)透明导电薄膜.进一步研究了热处理气氛、温度、Sn掺杂量对In2O3薄膜电学及光学性能的影响.分别在氮气、真空和空气3种环境下对薄膜进行热处理,结果表明真空热处理后薄膜的导电性最好.研究了薄膜方块电阻随锡掺杂量的变化,发现薄膜的方阻随掺锡量的增加先减小后增加,并在掺杂量为7mol%左右时达到最低;另外探讨了热处理温度对薄膜光电性能的影响,结果发现薄膜方块电阻随热处理温度的升高而减小,且热处理温度高于700℃后变化不显著,薄膜在可见光区平均透过率随热处理温度升高呈上升趋势.本研究所制得的薄膜可见光区(400～800nm)平均透过率可达85%、方阻约为66Ω.
参考文献
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