La掺杂TiO2薄膜的制备及其光电流研究

人工晶体学报, 2016, 45(2): 503-508.

La掺杂TiO2薄膜的制备及其光电流研究

朱晓东 ^1, , 冯威 ^2, , 周家荣 ^3, , 张雨生 ^4, , 雷旭 ^5, , 曾强风 ^6,

1.成都大学机械工程学院,成都,610106

2.成都大学机械工程学院,成都,610106

3.中国十九冶集团有限公司,成都,611730

4.成都大学机械工程学院,成都,610106

5.成都大学机械工程学院,成都,610106

6.成都大学机械工程学院,成都,610106

基金项目: 成都大学校青年基金项目(2013XJZ19) 四川省科技厅应用基础项目(2014JY0119)

关键词： TiO2薄膜 , La掺杂 , 热处理 , 光电流

Study on Preparation and Photocurrent of La-doped TiO2 Thin Films

Keywords： TiO2 thin film , La-doped , heat treatment , photocurrent

采用溶胶凝胶-浸渍提拉法在ITO导电玻璃表面制备了纯TiO2薄膜和La掺杂TiO2薄膜,对其进行350℃、450℃、550℃保温2h热处理.利用XRD、SEM、EDS、XPS对样品结构、形貌、成分进行表征,利用电化学工作站对薄膜进行光电流测试,研究了La掺杂以及不同热处理温度对TiO2薄膜结构及光电流的影响.结果表明:La掺杂有细化TiO2晶粒和抑制锐钛矿相向金红石相转变的作用.随热处理温度提高,纯TiO2薄膜与La掺杂TiO2薄膜光电流密度均先增大后减小,450℃热处理后纯Ti02薄膜光电流密度为180 μA·cm-2,此温度下La掺杂TiO2薄膜光电流密度为650 μA·cm-2,是纯TiO2薄膜的3.6倍.

参考文献

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