SiH4射频放电功率耗散机制的光发射研究

功能材料, 2000, 31(2): 144-152.

SiH4射频放电功率耗散机制的光发射研究

石旺舟 ^1, , 黄翀 ^2, , 姚若河 ^3, , 林揆训 ^4, , 林璇英 ^5,

1.汕头大学非晶半导体实验室,广东汕头515063

2.汕头大学非晶半导体实验室,广东汕头515063

3.汕头大学非晶半导体实验室,广东汕头515063

4.汕头大学非晶半导体实验室,广东汕头515063

5.汕头大学非晶半导体实验室,广东汕头515063

基金项目: 苏州大学校科研和教改项目广东省博士启动基金

关键词： SiH , 射频辉光放电 , 功率耗散 , 光发射谱

Study of Power Dissipation Mechanism of SiH4 RF Glow Discharge by Optical Emission Spectroscopy

采用OMA-4000测量了SiH4射频辉光放电等离子体的光发射谱,研究了其谱线强度随放电射频功率和反应气体流量间的变化关系.发现在放电射频功率增加和反应气体流量升高的过程中,其等离子体状态分别发生性质不同的转变,这种转变联系到射频功率耗散机制的变化.当反应气体流量增加时,电子获得能量的机制由阴极暗区加速转变为等离子体内电场的加热效应;而在放电功率升高的过程中,离子轰击阴极产生二次电子发射效应导致了光发射谱强度急剧增强的转变.

参考文献

[1]	Perrin J .[J].Journal of Non-Crystalline Solids,1991,137-138:639-644.
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[3]	Mataras D;Cavadias S;Rapakoulias D .[J].Journal of Applied Physics,1989,66:119-124.
[4]	Bohm C;Perrin J .[J].Journal of Physics D:Applied Physics,1991,24:865-881.
[5]	Belenguer Ph;Boeuf J P .[J].Physical Review A,1990,41:4447-4459.
[6]	Fumiyoshi Toshikubo;Akira Suzuki .[J].Journal of Applied Physics,1990,68:5532-5539.

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Study of Power Dissipation Mechanism of SiH4 RF Glow Discharge by Optical Emission Spectroscopy

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