掺钽对二氧化钛压敏电阻性能的影响

功能材料, 2001, 32(6): 622-624.

掺钽对二氧化钛压敏电阻性能的影响

李长鹏 ^1, , 王矜奉 ^2, , 陈洪存 ^3, , 苏文斌 ^4, , 钟维烈 ^5, , 张沛霖 ^6,

1.山东大学物理系,

2.山东大学物理系,

3.山东大学物理系,

4.山东大学物理系,

5.山东大学物理系,

6.山东大学物理系,

关键词：压敏材料 , 二氧化钛 , 电学性能 , 频谱

Effect of Ta2O5 on titania varistor ceramics

研究了钽对二氧化钛压敏电阻性能的影响.研究中发现掺入0.25mol%Ta2O5的样品显示出最低的反转电压(Eb=6V/mm)、最高的非线性常数(α=8.8)以及最高的相对介电常数(εr=6.2×104),与样品电容和电阻的频谱特性相一致.样品的性能变化可用Ta5+对Ti4+的掺杂取代和该取代存在的饱和值来解释.

参考文献

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