图形化SOI衬底上侧向外延生长GaN研究

功能材料, 2010, 41(7): 1208-1210.

图形化SOI衬底上侧向外延生长GaN研究

张波 ^1, , 陈静 ^2, , 魏星 ^3, , 武爱民 ^4, , 薛忠营 ^5, , 罗杰馨 ^6, , 王曦 ^7, , 张苗 ^8,

1.中国科学院,上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;中国科学院,研究生院,北京,100049

2.中国科学院,上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050

3.中国科学院,上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;中国科学院,研究生院,北京,100049

4.中国科学院,上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050

5.中国科学院,上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;中国科学院,研究生院,北京,100049

6.中国科学院,上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;中国科学院,研究生院,北京,100049

7.中国科学院,上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050;中国科学院,研究生院,北京,100049

8.中国科学院,上海微系统与信息技术研究所,信息功能材料国家重点实验室,上海,200050

基金项目: 上海市政府半导体照明基金资助项目(05d211006-3) 上海市科学技术发展基金资助项目(08520740100) 国家科技重大专项资助项目(2009ZX02038)

关键词：氮化镓 , 绝缘体上硅 , 侧向外延

Fabrication of GaN on patterned silicon-on-insulator by epitaxial lateral overgrowth

采用MOCVD系统,在图形化的绝缘体上硅(SOI:silicon-on-insulator)衬底上侧向外延生长了GaN薄膜.利用SEM、TEM和Raman光谱对生长的GaN薄膜的质量进行了分析研究.研究发现,在GaN的侧向外延生长区域,侧向生长的GaN能够完全合并,GaN薄膜内的残余应力减小,穿透位错密度大幅度降低.

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