为了制备高B低阻的硅单晶热敏材料,采用开管涂源的方法,对n型单晶硅进行Au、Ni两种过渡族金属的双重高温掺杂,得到对温度敏感的补偿硅材料,并对其进行测试和分析.掺杂后得到的硅单晶热敏材料,其导电类型仍为n型,且电阻率较低,为欠补偿,测试结果表明其常温电阻率ρ25=64～416Ω·cm,温度敏感系数(B值)在5300K左右;根据半导体中深能级杂质理论推导计算得到的材料的B值,与实验值基本一致.
参考文献
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