VO2(A)型薄膜表面形貌与相变性能的相关性

稀有金属材料与工程, 2011, 40(6): 1089-1092.

VO2(A)型薄膜表面形貌与相变性能的相关性

郭英杰 ^1, , 刘中华 ^2, , 苏瑞 ^3, , 陈家胜 ^4, , 何捷 ^5,

1.四川大学,辐射物理及技术教育部重点实验室,四川,成都,610064

2.四川大学,辐射物理及技术教育部重点实验室,四川,成都,610064

3.四川大学,辐射物理及技术教育部重点实验室,四川,成都,610064

4.四川大学,辐射物理及技术教育部重点实验室,四川,成都,610064

5.四川大学,辐射物理及技术教育部重点实验室,四川,成都,610064

基金项目: 国家自然科学基金(10475058;10875083)

关键词： VO2(A)型薄膜 , 退火温度 , 表面形貌

Relativity between Surface Morphology and Phase Transition Performance of VO2(A) Thin Film

以高纯五氧化二钒(V<,2>O<,5>)粉末(纯度≥99.99%)为原料,采用真空蒸发--还原工艺制备出VO<,2>(A)型薄膜(A表示发生热致相变的薄膜).讨论退火温度对VO<,2>(A)型薄膜表面形貌的影响,并进一步研究表面形貌与薄膜光电性质的相关性.结果显示:当退火温度从500℃升高到540℃,VO<,2>(A)型薄膜中层状特征减弱并消失,山峰状颗粒出现并增大,当退火温度继续升高,VO<,2>(A)型薄膜中山峰状颗粒是先减小再增大,但是其尺寸趋于一致,约为50 nm;随着VO<,2>(A)型薄膜形貌的改变,相变温度点、数量级、热滞回线宽度等相变性能参数也会改变;CO<,2>(A)型薄膜相变温度点降低,其在所测波段的透过率会降低,但只有在中红外波段,薄膜在相变前后透过率的改变量与电阻变化的数量级有关.

参考文献

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