4H-SiC衬底表面SiC薄膜的同质外延生长

人工晶体学报, 2012, 41(1): 106-114.

4H-SiC衬底表面SiC薄膜的同质外延生长

刘忠良 ^1, , 康朝阳 ^2, , 唐军 ^3, , 徐彭寿 ^4,

1.淮北师范大学物理与电子信息学院,淮北 235000;

2.中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥 230029

3.中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥 230029

4.中国科学技术大学国家同步辐射实验室,合肥 230029

基金项目: 国家自然科学基金(50872128) 安徽省自然科学基金(11040606M64) 安徽省高等学校省级自然科学研究(KJ2010B189)

关键词：碳化硅薄膜 , 同源分子束外延 , 碳化硅衬底

Homoepitaxial Growth of SiC Thin Film on 4H-SiC Substrate

以4H-SiC为衬底,在不同衬底温度下进行SiC薄膜的同质外延生长.利用反射式高能电子衍射(RHEED)、扫描电子显微镜( SEM)、拉曼(Raman)等测试手段,对生长样品的结构和结晶质量进行了表征.根据测试结果发现,在衬底温度为1200℃时能够得到质量较高的薄膜,在另外两个温度(1100℃和1300℃)条件下得到的薄膜质量是较差的.

参考文献

[1]	石绪忠.SiC半导体材料的特性及其在舰船上的应用[J].船电技术,2010(06):47-50.
[2]	刘忠良,康朝阳,唐军,徐彭寿.衬底温度对Al2O3（0001）表面外延6H-SiC薄膜的影响[J].硅酸盐学报,2011(02):306-311.
[3]	周继承,郑旭强,刘福.SiC薄膜材料与器件最新研究进展[J].材料导报,2007(03):112-114,118.
[4]	Govindhan Dhanaraj;Michael Dudley;Yi Chen;Balaji Ragothamachar;Bei Wu;Hui Zhang .Epitaxial growth and characterization of silicon carbide films[J].Journal of Crystal Growth,2006(2):344-348.
[5]	Hoon Joo Na;Jeong Hyun Moon;Jeong Hyuk Yim;Jae Bin Lee;Hyeong Joon Kim .Fabrication and characterization of 4H-SiC planar MESFETs[J].Microelectronic engineering,2006(1):160-164.
[6]	张发生 .SiC同质外延薄膜及其高压肖特基二极管器件研究[D].长沙:湖南大学,2010.
[7]	T.S. Sudarshan;S.I. Maximenko .Bulk growth of single crystal silicon carbide[J].Microelectronic engineering,2006(1):155-159.
[8]	Kojima K;Okumura H;Kuroda S;Arai K .Homoepitaxial growth of 4H-SiC on on-axis (0001(-)) C-face substrates by chemical vapor depositon[J].Journal of Crystal Growth,2004(2/4):367-376.
[9]	康朝阳,刘忠良,唐军,陈香存,徐彭寿,潘国强.α-Al2O3衬底上6H-SiC薄膜的SSMBE外延生长[J].人工晶体学报,2010(02):308-312.
[10]	Fissel A .Relationship between Growth Conditions,Thermodynamic Prope rties and Crystal Structure of SiC[J].International Journal of Inorganic Materials,2001,3:1273-1275.
[11]	Bechstedt F.;Fissel A.;Furthmuller J.;Kaiser U.;Weissker HC.;Wesch W. .Quantum structures in SiC[J].Applied Surface Science: A Journal Devoted to the Properties of Interfaces in Relation to the Synthesis and Behaviour of Materials,2003(0):820-825.
[12]	林涛,李青民,李连碧,杨莺,陈治明.6H-SiC衬底上异质外延3C-SiC薄膜的结构研究[J].半导体学报,2008(05):936-939.
[13]	高欣,孙国胜,李晋闽,赵万顺,王雷,张永兴,曾一平.水平冷壁CVD生长4H-SiC同质外延膜[J].半导体学报,2005(05):936-940.
[14]	刘金锋 .SiC薄膜的SSMBE外延生长及其结构表征[D].中国科学技术大学,2007.
[15]	王科范,刘金锋,邹崇文,徐彭寿,潘海滨,张西庚,王文君.一种新型Si电子束蒸发器的研制及其应用研究[J].真空科学与技术学报,2005(01):75-78.
[16]	Burton JC.;Long FH.;Feng ZC.;Ferguson IT.;Sun L. .First- and second-order Raman scattering from semi-insulating 4H-SiC[J].Physical Review.B.Condensed Matter,1999(11):7282-7284.
[17]	郑海务 .SiC薄膜的低压化学气相外延生长及其微结构特性研究[D].中国科学技术大学,2006.

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