本文针对现代LED驱动芯片对高压元器件的需要,结合SOI衬底技术在功率集成电路上的优势,分析了SOI高压器件的耐压原理,提出500V级SOI高压器件设计方案.在SOI衬底上设计了具有40μm线性渐变掺杂漂移区的LDMOS结构,对器件性能进行了仿真,并开发了与CMOS工艺兼容的制备流程.成功进行实验,测试结果显示,器件击穿电压可达550V,比导通电阻为5.8Ω· mm2 .
参考文献
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| [2] | 郝宗潮,胡玉.LED显示屏驱动芯片的种类及应用[J].现代显示,2003(06):48-51,23. |
| [3] | Shengdong Zhang;Johnny K. O. Sin;Tommy M. L. Lai;Ping K. Ko .Numerical modeling of linear doping profiles for high-voltage thin-film SOI devices[J].IEEE Transactions on Electron Devices,1999(5):1036-1041. |
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