β-SiC微粉中杂质碳的去除工艺研究

硅酸盐通报 , 2010, 29(5): 1221-1225.

1.西安科技大学材料科学与工程学院,西安,710054

2.西安科技大学材料科学与工程学院,西安,710054

3.西安科技大学材料科学与工程学院,西安,710054

4.西安科技大学材料科学与工程学院,西安,710054

5.西安科技大学材料科学与工程学院,西安,710054

Research on the Carbon Impurity Removing Technique for β-SiC Micropowder

借助激光粒度仪、综合热分析仪、X射线衍射仪和化学分析手段,研究了无限微热源法合成的β-SiC微粉中杂质碳的粒度组成和氧化特性,以及主成分β-SiC的氧化特性,得到了空气氧化法去除β-SiC微粉中杂质碳的最佳工艺条件为:氧化温度800～900 ℃,氧化持续时间为1 h.

[1]	Yung J L;Chia P T.The effects of starting precursors on the carbothermal synthesis of SiC powders[J].Ceramics International,2003(29):69-75.
[2]	张颖,蒋明学,崔曦文,张军战.氮化硅低温转化合成碳化硅晶须研究[J].硅酸盐通报,2009(01):80-83,89.
[3]	王晓刚 .煤矸石/石英砂与无烟煤合成β-SiC微粉研究[J].西安科技学院学报,2005,26(04):54-56.
[4]	范冰冰,关莉,李凯,吴曰送,李明亮,王海龙,张锐.SiC组分含量对SiC/Cu复合材料力学性能的影响[J].硅酸盐通报,2009(z1):114-117.
[5]	林彬荫.耐火矿物原料[M].北京:冶金工业出版社,1989
[6]	张伟儒,孙峰,田庭燕,武七德,陈波,吉晓莉,陈文.碳化硅基材料抗氧化涂层的研究进展[J].硅酸盐通报,2007(04):778-783.
[7]	K. SUZUKI;N. KAGEYAMA;T. KANNO .Improvement in the oxidation resistance of liquid-phase-sintered silicon carbide with aluminum oxide additions[J].Ceramics International,2005(6):879-882.
[8]	Guerfi K;Lagerge S;Meziani MJ;Nedellec Y;Chauveteau G .Influence of the oxidation on the surface properties of silicon carbide[J].Thermochimica Acta: An International Journal Concerned with the Broader Aspects of Thermochemistry and Its Applications to Chemical Problems,2005(1/2):140-149.

上一张下一张

计量

作者相关

文章评分