PI衬底n-i-p结构非晶硅薄膜太阳能电池的制备

人工晶体学报, 2015, 44(9): 2350-2358.

PI衬底n-i-p结构非晶硅薄膜太阳能电池的制备

李旺 ^1, , 刘石勇 ^2, , 刘路 ^3, , 王仕鹏 ^4, , 黄海燕 ^5, , 牛新伟 ^6, , 陆川 ^7,

1.浙江正泰太阳能科技有限公司,杭州310053;浙江大学硅材料国家重点实验室,杭州310027

2.浙江正泰太阳能科技有限公司,杭州,310053

3.浙江正泰太阳能科技有限公司,杭州,310053

4.浙江正泰太阳能科技有限公司,杭州,310053

5.浙江正泰太阳能科技有限公司,杭州,310053

6.浙江正泰太阳能科技有限公司,杭州,310053

7.浙江正泰太阳能科技有限公司,杭州,310053

基金项目: 国家高技术研究发展计划(863计划)(2012AA052401)

关键词：聚酰亚胺 , n-i-p结构 , 激光划分绝缘 , 掩盖分割 , 非晶硅薄膜 , 太阳能电池

Fabrication of n-i-p Type Amorphous Silicon Thin Films Solar Cells on PI Substrates

Keywords： PI , n-i-p configuration , mask scribing , laser scribing , amorphous silicon thin film , solar cell

利用传统硅薄膜太阳能电池生产设备、以硬质玻璃为载板,在低透光率的聚酰亚胺(PI)衬底上制备了n-i-p结构的单结非晶硅(a-Si)薄膜太阳能电池组件,并通过掩膜绝缘和激光划分绝缘组合的方式在同一块PI衬底上实现了多节电池串联一体的结构.封装后电池组件的有效发电面积的转化效率达到5.13％,电池的转化效率还存在较大的提升空间.

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