p型氮化镓不同掺杂方法研究

功能材料, 2007, 38(7): 1123-1131.

p型氮化镓不同掺杂方法研究

邢艳辉 ^1, , 韩军 ^2, , 邓军 ^3, , 刘建平 ^4, , 牛南辉 ^5, , 李彤 ^6, , 沈光地 ^7,

1.北京工业大学,电子信息与控制工程学院,北京,100022

2.北京工业大学,电子信息与控制工程学院,北京,100022

3.北京工业大学,电子信息与控制工程学院,北京,100022

4.北京工业大学,电子信息与控制工程学院,北京,100022

5.北京工业大学,电子信息与控制工程学院,北京,100022

6.北京工业大学,电子信息与控制工程学院,北京,100022

7.北京工业大学,电子信息与控制工程学院,北京,100022

基金项目: 国家高技术研究发展计划(863计划)(2004AA311030) 北京市自然科学基金(D0404003040221)

关键词： p-氮化镓 , δ掺杂 , 原子力显微镜 , 金属有机物化学气相淀积

Investigation of different doping methods to the p-type GaN

采用金属有机物化学气相淀积(MOCVD)技术,对p型GaN:Mg的均匀掺杂,delta掺杂和生长停顿掺杂3种不同掺杂方法的外延片研究,通过对电学的、光学的、表面形貌分析表明,生长停顿方法的外延片有较好的晶体质量,但因生长停顿过程中引入额外杂质增加自补偿效应;delta掺杂方法明显提高了空穴浓度,降低了电阻率,提高空穴迁移率,取得较好的表面形貌.

参考文献

[1]	Hiramatsu K;Detchprohm T;Akasaki I .[J].Japanese Journal of Applied Physics,1993,32:1528.
[2]	Wood C E C;Metze G;Berry J et al.[J].Journal of Applied Physics,1980,51:383.
[3]	Schubert E F;Cunningham J E;Tsang W T et al.[J].Applied Physics Letters,1986,49:292.
[4]	Schubert E F;Ploog K .[J].Japanese Journal of Applied Physics,1983,24:L608.
[5]	Heying B;Wu X H;Keller S et al.[J].Applied Physics Letters,1996,68:643.
[6]	Fan Z Y;Li J;Lin J Y et al.[J].Applied Physics Letters,2002,81:464.

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