Si3N4薄膜的表面微观特性

功能材料, 2001, 32(3): 298-300.

Si3N4薄膜的表面微观特性

陈俊芳 ^1, , 吴先球 ^2, , 王德秋 ^3, , 丁振峰 ^4, , 任兆杏 ^5,

1.华南师范大学,物理系,

2.华南师范大学,物理系,

3.华南师范大学,物理系,

4.中国科学院,等离子体物理研究所,

5.中国科学院,等离子体物理研究所,

基金项目: 重庆省高教厅资助项目(06204) 中国博士后科学基金(7) 广东省自然科学基金(000675)

关键词：氮化硅:薄膜表面平整度 , 沉积温度

Surface microcosmic properties of the nanosized silicon nitride thin film prepared by ECR-PECVD

利用偏心静电单探针诊断了反应室内的等离子体密度的空间分布;在不同的工艺条件下制备了Si3N4薄膜;由STM和Telystep-Hobbso轮廓仪研究了ECR-PECVD制备的Si3N4薄膜的表面微观特性,分析了沉积温度对ECR-PECVD制备的Si3N4薄膜表面平整度特性影响的物理机理;结果表明ECR-PECVD制备的薄膜是一种表面均匀致密的纳米Si3N4薄膜.

参考文献

[1]	Nobuo Fujiwara et al.[J].Japanese Journal of Applied Physics,1997,36:2502.
[2]	Barshilia HC.;Vankar VD. .CONCENTRATION OF ATOMIC HYDROGEN IN THE GROUND STATE IN A CH4-H-2 MICROWAVE PLASMA[J].Journal of Applied Physics,1996(7):3694-3698.
[3]	陈蒲生,冯文修,王川,王锋,刘小阳,田万廷,曾绍鸿.用于薄介质栅的PECVD法低温形成SiOxNy薄膜及其电学特性[J].半导体学报,1997(10):776.
[4]	陈俊芳,王卫乡,任兆杏,丁振峰,王道修,宋银根.ECR-PECVD制备UHF大功率管浅结芯片中Si3N4钝化膜的应用研究[J].电子学报,1998(05):119-121.
[5]	陈俊芳,王卫乡,刘颂豪,任兆杏.氮化硅薄膜的微结构[J].物理学报,1998(09):1529-1535.
[6]	项志遴;余昌旋.高温等离子体诊断技术[M].上海:上海科学技术出版社,1982
[7]	Michikazu Morimato;Yoko Ueda;Shinya Hiejima et al.[J].Japanese Journal of Applied Physics,1997,36(7B):4657.
[8]	赵化桥.等离子体化学[M].合肥:中国科学技术大学出版社,1994
[9]	Jes Asmussen .[J].Journal of Vacuum Science and Technology,1989,A7(03):883.
[10]	堂山昌南;山本良一;邝心湖.尖端材料[M].北京:电子工业出版社,1987
[11]	钱振型.固体电子学中的等离子体技术[M].北京:电子工业出版社,1988
[12]	薛增泉;吴全德;李浩.薄膜物理[M].北京:电子工业出版社,1990

上一张下一张

计量

下载量()
访问量()

作者相关

文章评分

您的评分：
1

0%
2

0%
3

0%
4

0%
5

0%

材料期刊网

Si3N4薄膜的表面微观特性

Surface microcosmic properties of the nanosized silicon nitride thin film prepared by ECR-PECVD

参考文献