CdSiP2多晶杂相分析与合成工艺改进

人工晶体学报, 2012, 41(5): 1163-1167.

CdSiP2多晶杂相分析与合成工艺改进

王小元 ^1, , 朱世富 ^2, , 赵北君 ^3, , 陈宝军 ^4, , 何知宇 ^5, , 樊龙 ^6, , 杨辉 ^7, , 刘光耀 ^8,

1.四川大学材料科学系,成都610064

2.四川大学材料科学系,成都610064

3.四川大学材料科学系,成都610064

4.四川大学材料科学系,成都610064

5.四川大学材料科学系,成都610064

6.四川大学材料科学系,成都610064

7.四川大学材料科学系,成都610064

8.四川大学材料科学系,成都610064

基金项目: 国家自然科学基金(51172149)

关键词： CdSiP2 , 多晶合成 , 红外透过率

Analysis on Impurity Phase and Synthesis Process Improvement of Polycrystalline CdSiP2

以高纯(6N) Cd、Si、P单质为原料,按CdSiP2化学计量比并适当富磷配料,采用传统气相输运法合成出CdSiP2多晶.X射线衍射(XRD)分析及Rietveld全谱拟合精修结果表明合成产物中含有微量SiP和CdP2杂相,分析了杂相产生的原因.针对存在的问题改进合成工艺,引入高温熔体机械和温度振荡以及分步控温冷却等新工艺,获得了外观完整、内部致密均匀的CdSiP2多晶.XRD及能量色散谱仪(EDS)分析结果表明,合成产物为高纯单相CdSiP2多晶,为高质量单晶体的生长奠定了可靠基础.以改进工艺获得的CdSiP2多晶为原料生长出质量较好的单晶体,厚度为2mm的晶片样品在1500 ～ 7000 cm-1范围内的红外透过率在45％以上,计算出晶体的禁带宽度为2.09 eV.

参考文献

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