聚碳硅烷先驱体法制备连续SiC自由膜研究

功能材料, 2008, 39(9): 1446-1449.

聚碳硅烷先驱体法制备连续SiC自由膜研究

姚荣迁 ^1, , 冯祖德 ^2, , 余煜玺 ^3, , 李思维 ^4, , 陈立富 ^5, , 张立同 ^6,

1.厦门大学,福建省特种先进材料重点实验室,福建,厦门,361005;厦门大学材料学院,福建,厦门,361005;厦门大学,化学化工学院,福建,厦门,361005

2.厦门大学,福建省特种先进材料重点实验室,福建,厦门,361005;厦门大学材料学院,福建,厦门,361005

3.厦门大学,福建省特种先进材料重点实验室,福建,厦门,361005;厦门大学材料学院,福建,厦门,361005

4.厦门大学,福建省特种先进材料重点实验室,福建,厦门,361005;厦门大学材料学院,福建,厦门,361005;厦门大学,化学化工学院,福建,厦门,361005

5.厦门大学,福建省特种先进材料重点实验室,福建,厦门,361005;厦门大学材料学院,福建,厦门,361005

6.西北工业大学,凝固技术国家重点实验室,陕西,西安,710072

基金项目: 国家自然科学基金(50532010) 解放军总装备部预研项目(91040A12040107QT87)

关键词：聚碳硅烷 , 先驱体法 , 碳化硅 , 自由薄膜

Studies on fabrication of continuous freestanding SiC films from polycarbosilane precursor

以聚碳硅烷(PCS)为先驱体,通过自行设计的喷膜板熔融纺出连续PCS自由薄膜,并对其进行氧化交联与高温裂解烧结可制得连续SiC自由薄膜.用扫描电镜分析薄膜表面和横断面的形貌,通过红外光谱(FTIR)分析氧化交联后薄膜的结构,通过拉曼光谱(Raman spectroscopy)、X射线衍射(XRD)与场发射高分辨透射电子显微镜(HRTEM)对薄膜进行微观分析.结果表明,熔融纺膜与聚碳硅烷先驱体法相结合可制得均匀、致密的连续β-SiC自由薄膜,其厚度可通过调节喷膜板的喷膜口尺寸大小和纺膜速度进行控制,薄膜的厚度大约在10～30μm.

参考文献

[1]	赵武,张志勇,吴铁柱,王雪文,邓周虎,戴琨.SiC薄膜的制备及其对气氛的响应研究[J].电子元件与材料,2005(09):36-38,41.
[2]	王娟,冯坚,杨大祥,张长瑞.纳米多孔二氧化硅薄膜的制备与表征[J].功能材料,2005(01):54-56.
[3]	周继承,郑旭强,刘福.SiC薄膜材料与器件最新研究进展[J].材料导报,2007(03):112-114,118.
[4]	McNutt T;Hefner A;Mantooth A et al.[J].Solid-State Electronics,2004,48:1757-1762.
[5]	Rajab SM;Oliveira IC;Massi M;Maciel HS;dos Santos SG;Mansano RD .Effect of the thermal annealing on the electrical and physical properties of SiC thin films produced by RF magnetron sputtering[J].Thin Solid Films: An International Journal on the Science and Technology of Thin and Thick Films,2006(1):170-175.
[6]	Suzuki H;Araki H;Tosa M;Noda T .SiC film formation from fluorosilane gas by plasma CVD[J].Journal of Crystal Growth,2006(2):464-468.
[7]	李晋闽.SiC材料及器件研制的进展[J].物理,2000(08):481-487.
[8]	Brutsch R .[J].Thin Solid Films,1985,126:313-318.
[9]	Golecki I;Reidinger F;Marti J .[J].Applied Physics Letters,1992,60(14):1703-1705.
[10]	Colombo P;Paulson T E;Pantano C G .[J].Journal of the American Ceramic Society,1997,80:2333-2340.
[11]	Radoslaw A. Wach;Masaki Sugimoto;Masahito Yoshikawa .Formation of Silicone Carbide Membrane by Radiation Curing of Polycarbosilane and Polyvinylsilane and its Gas Separation up to 250 deg C[J].Journal of the American Ceramic Society,2007(1):275-278.
[12]	李春华,黄可龙,李效东,曹峰,余煜玺.聚碳硅烷先驱体转化法制备SiC涂层研究[J].材料科学与工艺,2005(02):222-224.
[13]	Yajima S;Okamura K;Hayashi J.[J].Chemistry Letters,1975(12):1209-1212.
[14]	程祥珍,肖加余,谢征芳,宋永才.聚碳硅烷纤维的不熔化与SiC纤维制备研究[J].材料工程,2004(01):29-32,37.
[15]	张立德;牟季美.纳米材料和纳米结构[M].北京:北京科学技术出版社,2001
[16]	王浩,李效东,彭平,冯春祥,王应德.影响SiC陶瓷纤维力学性能的因素评价[J].宇航材料工艺,2001(03):4-9,14.
[17]	姚荣迁,唐学原,王艳艳,冯祖德,张立同.Hi-Nicalon SiC纤维高温热处理后的断裂机理研究[J].金属热处理,2007(08):55-58.
[18]	李思维,梅辉,冯祖德,张立同.航空发动机模拟环境对Hi-Nicalon纤维力学性能及微结构的影响[J].兵器材料科学与工程,2007(03):1-4.
[19]	王艳艳,张立同,唐学原,冯祖德.退火温度对Hi-Nicalon SiC 纤维微观结构及力学性能的影响[J].硅酸盐学报,2005(03):263-267.
[20]	刘孝敏.工程材料的微细观结构和力学性能[M].合肥:中国科学技术大学出版社,2003
[21]	叶恒强.材料的界面结构与特性[M].北京:北京科学技术出版社,1999

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