用Raman光散射的方法,观察了磁控溅射技术制备的Ge/Si系列多层膜退火处理后的备Raman峰的变化,对其峰形、峰位及峰强的变化进行讨论分析.实验结果显示:Ge/Si多层膜经700℃热处理10min后,能改善各层的晶体质量,得到较完整的多层膜的结构.
参考文献
| [1] | 王迅.锗硅超晶格的结构完整性达到国际先进水平[J].物理,1992(12):731. |
| [2] | 杨宇,卢学坤,黄大鸣,蒋最敏,杨敏,章怡,龚大卫,陈祥君,胡际璜,张翔九,赵国庆.Si1-xGex/Si量子阱发光材料制备及特性研究[J].物理学报,1995(06):995-1002. |
| [3] | Noboru Nakano;LouisMarville;Syun-Ming Jang et al.[J].Journal of Applied Physics,1993,73(01):414-417. |
| [4] | Lockwood D J;Baribeau J M;Timbrell P Y .[J].Journal of Applied Physics,1989,65(08):3049-3055. |
| [5] | 盛篪,周铁城,龚大卫,樊永良,王建宝,张翔九,王迅.在Ge和SiGe复合缓冲层上生长高质量Ge/Si超晶格[J].半导体学报,1996(01):1. |
| [6] | Kallel M A;Arbet-Engels A;Wang K L et al.[J].Journal of Crystal Growth,1991,111:897-901. |
| [7] | Sutter P;Schwarz C;Muller E et al.[J].Applied Physics Letters,1994,65(17):2220-2222. |
| [8] | 王云珍,潘尧令.用Raman光谱研究掺氧多晶硅的微结构[J].半导体学报,1989(07):534. |
| [9] | Molinar E;Fasolino A .[J].Applied Physics Letters,1989,54:1220-1222. |
| [10] | Alonso M I;Cerdeira F;Niles D et al.[J].Journal of Applied Physics,1989,66:5645-5650. |
| [11] | 徐建国,王建宝,盛篪,孙恒慧,郑思定,姚文华.用喇曼光谱表征锗硅应变层超晶格[J].半导体学报,1990(11):822. |
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