Sol-Gel法制备低阻SnO2薄膜

功能材料, 2001, 32(6): 645-648.

1.吉林大学电子工程系,

2.吉林大学电子工程系,

3.吉林大学电子工程系,

4.吉林大学电子工程系,

基金项目: 国家自然科学基金(69774027)

Preparation of low resistance SnO2 thin film by sol-gel method

采用sol-gel法制备了SnO2薄膜.研究了不同的实验条件对薄膜阻值的影响.利用XRD、XPS分析了薄膜的晶体结构和晶粒尺寸.利用这种低阻SnO2薄膜制作的热线型气敏元件对H2S具有较好的气敏特性.

[1]	向思清,索辉,阮圣平.SoI-GeI法制备SnO2纳米晶薄膜[J].功能材料,2000(Z1):72.
[2]	全宝富,金丽妍,全海英.低阻SnO2微粉的制备及其气敏特性[J].功能材料,2000(03):273.
[3]	Tanaki J;Maekawa T;Miara N et al.[J].Sensors and Actuators,1992,B9:197-203.

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