负偏压对多弧离子镀制备的(Ti,Cr)N膜的影响

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基金项目: 金属新材料制备与成形广东省重点实验室开放基金(2008002) 科学技术部国际科技合作计划项目(2006DFB51260)

Influence of Substrate Bias Voltage on (Ti, Cr)N Films Fabricated by Vacuum Cathodic Arc Deposition

利用扫描电子显微镜、原子力显微镜等手段研究负偏压对多弧离子镀制备的(Ti, Cr)N薄膜表面缺陷、表面粗糙度、化学成分、沉积速率及硬度的影响.结果发现:随着负偏压的增加,(Ti, Cr)N薄膜的液滴受到抑制,表面粗糙度下降,沉积速率降低,硬度增加,但负偏压对薄膜的Cr含量影响较小.

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