红外非线性光学晶体CdSe生长与性能表征

人工晶体学报, 2009, 38(2): 326-345.

红外非线性光学晶体CdSe生长与性能表征

曾体贤 ^1, , 赵北君 ^2, , 朱世富 ^3, , 何知宇 ^4, , 卢大洲 ^5, , 陈宝军 ^6, , 唐世红 ^7,

1.四川大学材料科学系,成都,610064

2.四川大学材料科学系,成都,610064

3.四川大学材料科学系,成都,610064

4.四川大学材料科学系,成都,610064

5.四川大学材料科学系,成都,610064

6.四川大学材料科学系,成都,610064

7.四川大学材料科学系,成都,610064

基金项目: 国家高技术研究发展计划(863计划)(2202AA325030)

关键词： CdSe单晶 , 气相生长 , VUVG法 , 性能表征

Growth and Properties Characterization of IR Nonlinear Optics Crystal CdSe

采用垂直无籽晶气相法(VUVG)生长出尺寸达26 mm×45 mm的CdSe单晶体,对CdSe晶体的稳态气相生长速率进行了深入讨论.采用气相升华法提纯后的CdSe多晶原料的X射线粉末衍射谱与PDF卡片值(65-3436)吻合,生长出的单晶体{100}和(110)面XRD衍射峰尖锐,无杂峰,且{100}面出现3级衍射峰.晶锭密度为5.74 g/cm3,与理论计算值接近.退火处理后的晶片在1000～7000 cm-1 红外波段范围内透过率达到70%.采用VUVG法生长的CdSe单晶体,结晶性能好、结构致密、尺寸大和红外透过率高,可用于制备红外非线性光学器件.

参考文献

[1]	Dmitriev V G;Gurzadyan G G;Nikogosyan D N.Handbook of Nonlinear Optical Crystals[M].Berlin Heidelberg:Springer-Verlag,1999:173-175.
[2]	张克从;王希敏.非线性光学晶体材料科学[M].北京:科学出版社,2005:26-329.
[3]	Vodopyanov K L .Megawatt Peak Powder 8-13 m CdSe Optical Parametric Generator Pumped at 2.8 m[J].Optics Communications,1998,150:210-212.
[4]	Bhar G C;Ghosh G C .Temperature Optical Dependent Phase-matched Nonlinear Devices Using CdSe and ZnGeP2[J].IEEE Journal of Quantum Electronics,1980,QE-16(08):838-843.
[5]	Herbst R L;Byer R L .Efficient Parametric Mixing in CdSe[J].Applied Physics Letters,1971,19:527-530.
[6]	Burger A;Roth M .Growth of Medium Electrical Resitivity CdSe Single Crystal by the Temperature Gradient Solution Zoning Technique[J].Journal of Crystal Growth,1984,67:507-510.
[7]	Goetz G;Krostand A;Schulz H J .Cr2+ (d4) Infrared Emi ssion in CdS and CdSe[J].Journal of Crystal Growth,1990,101:414-419.
[8]	Rubenstein M .Solution Growth of Some II-VI Compounds Using Tin as a Solvent[J].Journal of Crystal Growth,1968,3-4:309-312.
[9]	朱世富;赵北君.材料制备科学与技术[M].北京:高等教育出版社,2006:112-115.

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