Y掺杂对BaTiO3系半导化薄膜PTCR特性的影响

功能材料, 2001, 32(1): 53-54.

1.中国科学院新疆物理研究所,

2.烟台大学物理系,

3.中国科学院新疆物理研究所,

基金项目: 国家西部之光人才培养计划

Effect of Yttrium Content on the PTCR Characteristics of BaTiO3 Semiconductive Thin Film

介绍了Y掺杂对BaTiO3系半导化薄膜PTCR特性的影响.实验发现,当Y掺杂浓度在0.1mol%～1.5mol%时,薄膜的室温电阻为10～50Ω,突变温区为1℃.在[Y3+]=0.7mol%时,薄膜的升阻比达106.实验结果表明:薄膜的转变温度、升阻比和室温电阻与Y掺杂浓度有关.

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